PSRAM是采用DRAM的工藝和技術(shù)，但實現(xiàn)類似SRAM一樣的RAM器件。隨著科技發(fā)展，為了兼顧SRAM和DRAM兩者的優(yōu)點，即容量大,又接口驅(qū)動簡單，便發(fā)展出了PSRAM。PSRAM接口和SRAM一樣簡單，驅(qū)動簡單；而存儲形式則和DRAM一樣，容量遠大于SRAM，介于SRAM和DRAM之間,現(xiàn)在一般是最大64MB。
 
    PSRAM工藝和技術(shù)上實現(xiàn)大容量低成本的特性；在IO協(xié)議上采用了類似SRAM的接口協(xié)議，并且將刷新電路改成內(nèi)部自行刷新，不需要像DRAM那樣使用controller來控制內(nèi)存單元做定期刷新，所以接口相比DRAM而言也簡單許多。
 
    PSRAM更適用于有一定緩存容量要求，速度較快，功耗較低，性價比要求高的應(yīng)用需求中，如數(shù)據(jù)密集，算法處理（FFT等），突發(fā)存取等應(yīng)用場景。其應(yīng)用涵蓋手機、PDA、兒童玩具、MP3/4播放器、智能手表、智能語音交互設(shè)備等消費電子產(chǎn)品。
 
    我司英尚微提供的串行PSRAM存儲器件，該器件有SPI,QPI接口，支持單片機SPI,QPI接口，該RAM可配置為1位輸入和輸出獨立接口或4位I/O通用接口。所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負責(zé)。具有封裝小，容量大，成本低的優(yōu)勢。該產(chǎn)品是低成本低功耗高容量的ram資源外擴的存儲解決方案。


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