磁阻隨機存取存儲器MRAM與傳統(tǒng)類型的存儲器（如SRAM、DRAM和閃存）不同，后者使用電荷來存儲信息。MRAM不是利用電子的電荷，而是利用其自旋來存儲數(shù)據(jù)。這種類型的電子學被稱為“自旋電子學”。
 
MRAM自旋電子特性的核心是磁隧道結(MTJ)，這是一種由許多鐵磁層和非磁層組成的薄膜結構。MTJ的電阻以及因此存儲元件的位狀態(tài)，純粹隨著這些層的極化變化而切換。由于這些材料在未通電時幾乎可以永遠保持其極化狀態(tài)，因此MRAM與閃存、FeRAM和EEPROM一起屬于非易失性存儲器(NVM)陣營。
 
對于1960年代和70年代的系統(tǒng)設計人員來說，當半導體存儲器相對較新時，標準的思維方式是“在速度和密度很重要但功率不重要時考慮易失性存儲器”和“當功率和密度很重要時考慮非易失性存儲器”速度不是。”這些簡單的規(guī)則適用于當時可用的技術，如DRAM、SRAM和EEPROM。然而，今天的內(nèi)存領域包含如此多的技術，以至于不再可能做出如此嚴格的區(qū)分。每種類型的內(nèi)存都有其獨特的優(yōu)勢和劣勢，并且有一些“理想內(nèi)存”候選者承諾結合許多技術的優(yōu)勢而沒有弱點。一個這樣的候選者是基于自旋扭矩技術的下一代MRAM，稱為STT-MRAM。它承諾結合閃存的非易失性、DRAM的密度、SRAM的速度和MRAM的抗輻射性。


本文關鍵詞：STT-MRAM,MRAM,SRAM

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