,,

偽靜態存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。

ISSI是一家專門設計，開發，銷售高性能PSRAM存儲芯片半導體產品的，PSRAM產品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四種容量，封裝為BGA，可用于Internet存儲器件、網絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。可用JSC,VTI等品牌進行PIN to PIN替換兼容。該品牌非我司代理產品線

Density	Org	Part Number	Vcc	Speed(ns)	Pkg(Pins)	PDF下載
64Mb	4Mx16	IS66WVE4M16ALL	1.7-1.95V	70	TFBGA(48)	暫無
64Mb	4Mx16	IS66WVC4M16ALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
64Mb	4Mx16	IS66/67WVC4M16EALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
64Mb	4Mx16	IS66/67WVC4M16ECLL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
64Mb	4Mx16	IS66WVD4M16ALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
64Mb	4Mx16	IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暫無
64Mb	4Mx16	IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暫無
32Mb	2Mx16	IS66/67WVC2M16EALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
32Mb	2Mx16	IS66/67WVC2M16ECLL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
32Mb	2Mx16	IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暫無
16Mb	1Mx16	IS66/67WV1M16EBLL	1.7-1.95V	70	mBGA(48)	暫無
16Mb	1Mx16	IS66/67WVC1M16EALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
16Mb	1Mx16	IS66WVD1M16ALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暫無
16Mb	1Mx16	IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暫無
8Mb	512Kx16	IS66/67WV51216EBLL	1.7-1.95V	70	TSOP2(44),mBGA(48)	暫無
8Mb	512Kx16	IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暫無

国产不卡视频一区二区三区-国产不卡视频一区二区三区四区-国产不卡视频一区二区在线观看-国产不卡视频在线-国产不卡视频在线播放-国产不卡视频在线观看

Tel